日本是半导体资料强国，职业方位强势。据了解，全球出产半导体所需的必备资料共19种，其间14种日本都占有了50%的商场。

  而在日前，日本半导体职业传来一则好音讯，预示着日本在新一代功率半导体资料的竞赛中，又一次走到了国际的前列。

  据6月16日日媒传来的音讯称，日本NovelCrstalTechnology（以下简称NCT）成功量产100mm（4英寸）氧化镓晶圆，这仍是全球初次。据了解，NCT将于本年年内向客户供给100mm晶圆。

  这一成果，再一次显示出日本半导体资料范畴的强壮。并且，这还让日本在未来竞赛之中更具优势。

  据了解，氧化镓是第四代半导体资料之一，是一种超宽带半导体资料。氧化镓具有抗高温、大功率、抗辐射等优势。

  同第三代半导体资料氮化硅比较，氧化镓的击穿场强是其3.2倍，巴利加优值是其近10倍，在禁带宽度上氧化镓也更具优势，在4.9-5.3eV。

  并且，氧化镓可以更高效的操控电力。作为功率半导体资料，工业设备、纯电动车等大电流操控用处的零部件，是氧化镓的首要阵地，其氧化镓的这一特质让它能发挥出更超卓的体现。

  不仅如此，氧化镓晶圆的价格还比碳化硅更实惠，究竟氧化镓的本钱只要碳化硅的1/8。因而，若是氧化镓晶圆能大面积使用，有望下降电子设备的本钱，拉低产品价格。

  由此清楚明了，氧化镓的各项优势都非常显着。未来，氧化镓有望在新能源轿车、工业电机、国防军工等范畴大展身手。

  现在，日本企业首先完成100mm氧化镓晶圆量产，这表明其已经在新一轮竞赛之中获得了抢先优势。

  一起这也预示着，在巨大的功率半导体商场之中，日本企业的开展有望更进一步，坚持住本身“功率半导体大国”的方位。日本有望进一步强化其在功率半导体上的优势方位，稳住本身职业抢先方位。

  我国在半导体工业上本就落后于人，并且现在全球交易环境不确定性添加，我国更是应该加速芯片开展的脚步，脱节对外资企业的依靠。

  只要这样，国产芯片才干完成独当一面，不会容易被“卡脖子”。期望我国半导体工业也能有更多好音讯传来。